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TOSHIBA(東芝)

TO-220SIS

Toshiba 650V DTMOS-VI超級(jí)結(jié)MOSFET設(shè)計(jì)用于在開(kāi)關(guān)電源下工作。該系列N溝道MOSFET具有高速開(kāi)關(guān)特性和較低電容。 650V DTMOS-VI超級(jí)結(jié)MOSFET硅MOS…

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TOSHIBA(東芝)

TO-220

東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進(jìn)的單外延工藝，與上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，這是 MOSFET 的性能指標(biāo)。RDS（on） 的降低使得將…

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TOSHIBA(東芝)

DFN-4-EP(8x8)

Toshiba TK16x60W Si N溝道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片設(shè)計(jì)，有各種型號(hào)可供選擇。Si N溝道MOSFET具有低漏源導(dǎo)通電阻和快速反向恢復(fù)能力…

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TOSHIBA(東芝)

DFN-4-EP(8x8)

東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進(jìn)的單外延工藝，與上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，這是 MOSFET 的性能指標(biāo)。RDS（on） 的降低使得將…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J358R1. 應(yīng)用 ? 電源管理開(kāi)關(guān)2.特性 （1) 1.8 V 驅(qū)動(dòng) （2）低漏源導(dǎo)通電阻 ：RDS（ON） = 49.3 mΩ（最大值） （@VGS = -1.8…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J356R1. 應(yīng)用 ? 電源管理開(kāi)關(guān) 2.特性 （1）4 V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓。 （2）低漏源導(dǎo)通電阻 ： RDS（ON） = 400 mΩ（最大值） （@V…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J355R1. 應(yīng)用? 電源管理開(kāi)關(guān)2.特性 （1）1.8 V 驅(qū)動(dòng) （2) 低漏源導(dǎo)通電阻 ： RDS（ON） = 36.0 mΩ（典型值） （VGS = -1.8 …

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TOSHIBA(東芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J353F1. 應(yīng)用? 電源管理開(kāi)關(guān)2.特性 （1） 4.0 V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓。（2）低漏源導(dǎo)通電阻 ：RDS（ON） = 274 mΩ（最大值） （@VG…

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TOSHIBA(東芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J352F1. 應(yīng)用 ? 電源管理開(kāi)關(guān)2.特性 （1)1.8 V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓（2）低漏源導(dǎo)通電阻 ：RDS（ON） = 443 mΩ （最大值） （@VGS …

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J351R1. 應(yīng)用? 電源管理開(kāi)關(guān) 2.特性 （1） 4 V 驅(qū)動(dòng) （2） 低漏源導(dǎo)通電阻 ：RDS（ON） = 107 mΩ（典型值） （VGS = -10 V）…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J340R1. 應(yīng)用? 電源管理開(kāi)關(guān) 2.特性（1）4.0 V 驅(qū)動(dòng) （2） 低漏源導(dǎo)通電阻 ：RDS（ON） = 86 mΩ（最大值） （@VGS = -4.0 …

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J338R1.應(yīng)用? 電源管理開(kāi)關(guān)2.特點(diǎn)(1) 1.8 V柵極驅(qū)動(dòng)電壓。(2) 低漏源導(dǎo)通電阻: RDS (on) = 26.3 m ? (typ.)(@ VGS = -1.8 V…

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TOSHIBA(東芝)

TSON-8(3.1x3.1)

XPN3R804NC,L1XHQ是Toshiba 車(chē)規(guī)級(jí)U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET，是汽車(chē)應(yīng)用的理想選擇。它們具有采用專(zhuān)有技術(shù)的低導(dǎo)通電阻…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J334R1.應(yīng)用?電源管理開(kāi)關(guān)應(yīng)用 2.特性? 低導(dǎo)通電阻：RDS（ON） = 71 mΩ（最大值）（@VGS = -10 V） RDS（ON） = 105 mΩ（…

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TOSHIBA(東芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba 車(chē)規(guī)級(jí)U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET，是汽車(chē)應(yīng)用的理想選擇。它們具有采用專(zhuān)有技術(shù)的低導(dǎo)通電阻，使用銅連接器。 …

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J332R1.應(yīng)用?電源管理開(kāi)關(guān)應(yīng)用2.特性? 1.8 V 驅(qū)動(dòng) ? 低導(dǎo)通電阻：RDS（ON） = 144 mΩ（最大值）（@VGS = -1.8 V）RDS（ON…

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TOSHIBA(東芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba 車(chē)規(guī)級(jí)U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET，是汽車(chē)應(yīng)用的理想選擇。它們具有采用專(zhuān)有技術(shù)的低導(dǎo)通電阻，使用銅連接器。 …

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TOSHIBA(東芝)

DSOPADVANCE-8

Toshiba 車(chē)規(guī)級(jí)U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET，是汽車(chē)應(yīng)用的理想選擇。它們具有采用專(zhuān)有技術(shù)的低導(dǎo)通電阻，使用銅連接器。 …

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TOSHIBA(東芝)

DSOPADVANCE-8

Toshiba 車(chē)規(guī)級(jí)U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET，是汽車(chē)應(yīng)用的理想選擇。它們具有采用專(zhuān)有技術(shù)的低導(dǎo)通電阻，使用銅連接器。 …

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23

TOSHIBA(東芝)-SSM3J331R1. 應(yīng)用 ? 電源管理開(kāi)關(guān) 2.特性 （1)1.5V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓。 （2）低漏源導(dǎo)通電阻 ：RDS（ON） = 150 mΩ （最大值） （@V…