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作者：網(wǎng)站管理員 發(fā)布時(shí)間：2024-09-14 瀏覽次數(shù)：
東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進(jìn)的單外延工藝，與上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，
這是 MOSFET 的性能指標(biāo)。RDS（on） 的降低使得將 RDS（on） 較低的芯片封裝在同一封裝中成為可能。
這有助于提高效率并減小電源的尺寸。東芝 DTMOSIV MOSFET 非常適合與開關(guān)穩(wěn)壓器一起使用。
特征：
低漏源通電阻
易于控制門開關(guān)
與上一代相比，RDS（ON）減少30%
電源開關(guān)效率最高
減少成本
封裝選項(xiàng)包括DPAK、IPAK、D2 PAK、8 mm x 8 mm DFN、I2 PAK、TO-220、TO-220 SIS、TO-247、TO-3 P（N）和TO-3 P（L）
應(yīng)用程序：
開關(guān)模式電源（SMPS）
照明
功率因數(shù)控制（PFC）
工業(yè)（包括 UPS）
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