TOSHIBA(東芝)-SSM3J351R

1.SSM3J351R應(yīng)用

? 電源管理開關(guān)

2.SSM3J351R特性

（1） 4 V 驅(qū)動(dòng)
（2）低漏源導(dǎo)通電阻：
RDS（ON） = 107 mΩ（典型值）（VGS = -10 V）

RDS（ON） = 122 mΩ（典型值）（VGS = -4.5 V）

RDS（ON） = 129 mΩ（典型值）（VGS = -4.0 V）

3.SSM3J351R絕對(duì)最大額定值（注）（除非另有說(shuō)明，否則 Ta = 25 ）

注：在重負(fù)載下連續(xù)使用（例如施加高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）可能會(huì)導(dǎo)致本產(chǎn)品的可靠性顯著下降，即使使用條件（即工作溫度/電流/電壓等）在絕對(duì)最大額定值范圍內(nèi)。請(qǐng)?jiān)诓榭礀|芝半導(dǎo)體可靠性手冊(cè)（“處理注意事項(xiàng)”/“降額概念和方法”）和各個(gè)可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測(cè)試報(bào)告和估計(jì)故障率等）后設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)目煽啃浴?

注 1：確保通道溫度不超過(guò) 150 。

注 2：脈沖寬度（PW） ≤ 1 ms，占空≤比 1 % 注 3：器件安裝在 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm FR4 玻璃環(huán)氧樹脂板上（銅墊：645 mm2）

注 4：VDD = 25 V，Tch = 25 （初始狀態(tài)），L = 1 mH，RG = 25 Ω注：該晶體管對(duì)靜電放電敏感，應(yīng)小心處理。注意：該器件中的 MOSFET 對(duì)靜電放電敏感。處理此設(shè)備時(shí)，應(yīng)保護(hù)工作臺(tái)、操作員、烙鐵和其他物體免受防靜電放電。注：通道到環(huán)境的熱阻 Rth（ch-a）和漏極功率耗散 PD 根據(jù)電路板材料、電路板面積、電路板厚度和焊盤面積而變化。使用此設(shè)備時(shí)，請(qǐng)務(wù)必充分考慮散熱。