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DSOP-8-EP-5.0mm

TOSHIBA(東芝)

Toshiba U-MOSVIII-H低壓高效MOSFET專門設(shè)計用于筆記本電腦適配器、游戲機、服務(wù)器、臺式電腦、平板顯示器等的AC-DC電源的二次側(cè)，另外還用于通信…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-883-3

TOSHIBA(東芝)-SSM3J56ACT1.應(yīng)用高速交換機2。特點(1) 1.2 V驅(qū)動器(2)低漏極電阻：RDS（接通）=390 mΩ（最大）（@VGS=-4.5V）RDS（接通）=480 m…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J378R1.應(yīng)用程序（1）電源管理交換機2.特性(1) AEC-Q101合格（請參閱可訂購零件號表）(2)1.5V柵極驅(qū)動電壓。(3)低漏源電阻：R…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J377R1.應(yīng)用程序電源管理交換機2.特性(1) AEC-Q101合格（請參閱可訂購零件號清單）(2)1.5V柵極驅(qū)動電壓。(3)低漏源電阻：RDS（…

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TOSHIBA(東芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J375F1.應(yīng)用程序電源管理交換機2。特性(1) AEC-Q101合格（請參閱可訂購零件號清單）(2)1.5V驅(qū)動(3)低漏源電阻：RDS（ON）= 31…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J374R1.應(yīng)用程序電源管理交換機2.特性(1) AEC-Q101合格（請參見可訂購零件號表）(2)4.0-V柵極驅(qū)動電壓。(3)低漏源電阻RDS（ON…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J372R1.應(yīng)用程序電源管理交換機2。特性(1) AEC-Q101合格（請參閱可訂購零件號清單）(2)1.8V柵極驅(qū)動電壓。(3)低漏源電阻RDS（…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝）-SSM3J371R1.應(yīng)用程序電源管理交換機2。特性(1) AEC-Q101合格（請參閱可訂購零件號清單）(2)1.5V柵極驅(qū)動電壓。(3)低漏源電阻：RD…

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TOSHIBA(東芝)

0.108g 2-5W1A（SOP高級（N））

Toshiba UMOS9-H硅N溝道MOSFET非常適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)穩(wěn)壓器和 電機驅(qū)動器。這些MOSFET具有小柵極電荷、小輸出電荷、低漏源導(dǎo)通電阻…

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TOSHIBA(東芝)

SMD-3P

TOSHIBA(東芝)-SSM3J36TU1.應(yīng)用○電源管理開關(guān)2.特性○1.5-V驅(qū)動器○低接通電阻：Ron=3.60Ω（最大）（@VGS=-1.5V）Ron=2.70Ω（最大）（@VGS=-1…

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TOSHIBA(東芝)

SC-75

TOSHIBA(東芝)-SSM3J36FS1.應(yīng)用○電源管理開關(guān)2.特性○1.5-V驅(qū)動器○低接通電阻：Ron=3.60Ω（最大）（@VGS=-1.5V）Ron=2.70Ω（最大）（@VGS=-1…

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TOSHIBA(東芝)

SC-75

TOSHIBA(東芝)-SSM3J36FS1.應(yīng)用○電源管理開關(guān)2.特性○1.5-V驅(qū)動器○低接通-電阻：Ron=3.60Ω（最大）（@VGS=-1.5V）Ron=2.70Ω（最大）（@VGS=-…

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TOSHIBA(東芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba XPN12006NC車用U-MOSVIII-H MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，采用緊湊的薄型TSON封裝。XPN12006NC具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻、低漏電流和增強模式…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-723

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35MFV1.應(yīng)用○高速開關(guān)應(yīng)用○模擬開關(guān)應(yīng)用2.特性○1.2 V驅(qū)動○低電阻：Ron=44Ω（最大）(@VGS=-1.2V）Ron=22Ω（最大）（@VG…

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TOSHIBA(東芝)

SC-101(SOT-883)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35CTC1.應(yīng)用程序模擬開關(guān)2.特點(1) 1.2 V驅(qū)動(2)低漏極電阻：RDS（ON）=3.2Ω（類型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（類型）…

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TOSHIBA(東芝)

TO-220SIS

東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進的單外延工藝，與上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，這是 MOSFET 的性能指標(biāo)。RDS（on） 的降低使得將…

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TOSHIBA(東芝)

TO-220SIS

東芝π-MOS VII MOSFET是10V柵極驅(qū)動，單N溝道器件，將π-MOS技術(shù)與平面工藝相結(jié)合，以提供多種電壓和RDS（ON）額定值。這些高壓MOSFET的漏極-源…

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TOSHIBA(東芝)

SC-101(SOT-883)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35CT1.應(yīng)用○高速開關(guān)應(yīng)用○模擬開關(guān)應(yīng)用2.特性○1.2V驅(qū)動○低電阻：Ron=44Ω（最大）（@VGS=-1.2V）Ron=22Ω（最大）（@VGS…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-723

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35AMFV1.應(yīng)用程序模擬開關(guān)2.特點(1) 1.2 V驅(qū)動(2)低漏極電阻：RDS（ON）=3.2Ω（類型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（類型…

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TOSHIBA(東芝)

SC-75(SOT-416)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35AFS1.應(yīng)用程序模擬開關(guān)2。特點(1) 1.2 V驅(qū)動(2)低漏極電阻：RDS（ON）=3.2Ω（類型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（類型…