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XPN12006NC,L1XHQ是Toshiba XPN12006NC車用U-MOSVIII-H MOSFET

XPN12006NC,L1XHQ是Toshiba XPN12006NC車用U-MOSVIII-H MOSFET

作者：網(wǎng)站管理員    發(fā)布時(shí)間：2024-09-21    瀏覽次數(shù)：

Toshiba XPN12006NC車用U-MOSVIII-H MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，采用緊湊的薄型TSON封裝。XPN12006NC具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻、低漏電流和增強(qiáng)模式。




Toshiba XPN12006NC U-MOSVIII-H功率MOSFET非常適合用于開關(guān)穩(wěn)壓器、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和汽車應(yīng)用。


特性


  • 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
  • 小型、薄型封裝


應(yīng)用

  • 汽車
  • 開關(guān)穩(wěn)壓器
  • 直流-直流轉(zhuǎn)換器
  • 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器



規(guī)范

  • 低漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)=9.8m?（典型值）(VGS=10V)
  • 低漏電流：IDSS=10μA（最大值） (VDS=60V)
  • 增強(qiáng)模式：Vth=1.5V至2.5V（VDS=10V，ID=0.2mA）




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