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作者：網(wǎng)站管理員 發(fā)布時間：2024-09-21 瀏覽次數(shù)：
東芝π-MOS VII MOSFET是10V柵極驅(qū)動，單N溝道器件，將π-MOS技術(shù)與平面工藝相結(jié)合，
以提供多種電壓和RDS（ON）額定值。這些高壓MOSFET的漏極-源極電壓范圍為250V至650V，
漏極電流范圍為2A至20A。Vishaiπ-MOS VII MOSFET提供TO-220-3和TO-252通孔封裝以及緊湊
型DP AK-3和PW-Mold-3表面貼。
特點
1.10V門控驅(qū)動器
2.0.1Ω至4.3Ω（@VGS=10V）最大漏源導(dǎo)通電阻（RDS（ON））
3.250V至650V漏電源電壓
4.±20V至±30V柵極電源電壓
5.2A至20A漏電流
6.30W至102W的功耗
7.380pF至1100pF輸入電容
應(yīng)用程序
1.開關(guān)模式電源
2.筆記本電腦和臺式電腦的交流適配器
3.平板顯示器
4.照明用鎮(zhèn)流器
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