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TK190A65Z,S4X是Toshiba 650V DTMOS-VI超級結(jié)MOSFET

TK190A65Z,S4X是Toshiba 650V DTMOS-VI超級結(jié)MOSFET

作者：網(wǎng)站管理員發(fā)布時間：2024-09-18 瀏覽次數(shù)：

Toshiba 650V DTMOS-VI超級結(jié)MOSFET設(shè)計(jì)用于在開關(guān)電源下工作。

該系列N溝道MOSFET具有高速開關(guān)特性和較低電容。

650V DTMOS-VI超級結(jié)MOSFET硅MOSFET提供0.092Ω至0.175Ω低漏電流導(dǎo)通電阻。

這些器件具有10V漏源電壓。

特性

低漏源導(dǎo)通電阻
高速開關(guān)特性，低電容
增強(qiáng)模式：Vth=3V至4V（VDS=10V）

規(guī)范

最大柵極漏電流：±1μA
輸入電容 (CISS) 為2250pF、1635pF和1370pF
最大柵極閾值電壓：3V至4V

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