TOSHIBA(東芝)-SSM3J338R

1.SSM3J338R應(yīng)用

? 電源管理開關(guān)

2.SSM3J338R特點

(1) 1.8 V柵極驅(qū)動電壓。
(2) 低漏源導通電阻:
RDS (on) = 26.3 m ? (typ.)(@ VGS = -1.8 V)
RDS(ON) = 20.1 m ? (typ.)(@ VGS = -2.5 V)
RDS(ON) = 15.9 m ? (典型值)(@ VGS = -4.5 V)

3.SSM3J338R絕對最大額定值 (注) (除非另有規(guī)定，否則Ta = 25 °c)

注：在重負載下連續(xù)使用（例如施加高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）可能會導致本產(chǎn)品的可靠性顯著下降，即使使用條件（即工作溫度/電流/電壓等）在絕對最大額定值范圍內(nèi)。請在查看東芝半導體可靠性手冊（“處理注意事項”/“降額概念和方法”）和各個可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測試報告和估計故障率等）后設(shè)計適當?shù)目煽啃?。?1：確保通道溫度不超過 150'"注 2：脈沖寬度（PW） ≤10 ms，占空≤比 1% 注 3：設(shè)備安裝在 FR4 板上。（25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm，銅墊：645 mm2）注意：該器件中的 MOSFET 對靜電放電敏感。處理此設(shè)備時，應(yīng)保護工作臺、操作員、烙鐵和其他物體免受防靜電放電。注：通道到環(huán)境的熱阻 Rth（ch-a）和漏極功率耗散 PD 根據(jù)電路板材料、電路板面積、電路板厚度和焊盤面積而變化。使用此設(shè)備時，請務(wù)必充分考慮散熱。

4.SSM3J338R靜態(tài)特性 (除非另有規(guī)定，否則Ta = 25 °c)

注 1：如果在門和源之間施加反向偏置，該器件將進入 V（BR）DSX 模式。請注意，在此模式下，漏極擊穿電壓會降低。注 2：設(shè) Vth 為施加在柵極和源極之間的電壓，該電壓導致漏極電流（ID）低于（本器件為 -1 mA）。然后，對于正常的開關(guān)操作，VGS（ON）必須高于 Vth，VGS（OFF）必須低于 Vth。此關(guān)系可以表示為：VGS（OFF） < Vth < VGS（ON）。使用設(shè)備時請考慮這一點。注 3：脈沖測量。

5.SSM3J338R動態(tài)特性 (除非另有規(guī)定，否則Ta = 25 °c)