1

TOSHIBA(東芝)

SC-75

TOSHIBA(東芝)-SSM3J36FS1.應(yīng)用○電源管理開關(guān)2.特性○1.5-V驅(qū)動器○低接通電阻：Ron=3.60Ω（最大）（@VGS=-1.5V）Ron=2.70Ω（最大）（@VGS=-1…

2

TOSHIBA(東芝)

SC-75

TOSHIBA(東芝)-SSM3J36FS1.應(yīng)用○電源管理開關(guān)2.特性○1.5-V驅(qū)動器○低接通-電阻：Ron=3.60Ω（最大）（@VGS=-1.5V）Ron=2.70Ω（最大）（@VGS=-…

3

TOSHIBA(東芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba XPN12006NC車用U-MOSVIII-H MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，采用緊湊的薄型TSON封裝。XPN12006NC具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻、低漏電流和增強(qiáng)模式…

4

TOSHIBA(東芝)

SOT-723

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35MFV1.應(yīng)用○高速開關(guān)應(yīng)用○模擬開關(guān)應(yīng)用2.特性○1.2 V驅(qū)動○低電阻：Ron=44Ω（最大）(@VGS=-1.2V）Ron=22Ω（最大）（@VG…

5

TOSHIBA(東芝)

SC-101(SOT-883)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35CTC1.應(yīng)用程序模擬開關(guān)2.特點(1) 1.2 V驅(qū)動(2)低漏極電阻：RDS（ON）=3.2Ω（類型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（類型）…

6

TOSHIBA(東芝)

TO-220SIS

東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進(jìn)的單外延工藝，與上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，這是 MOSFET 的性能指標(biāo)。RDS（on） 的降低使得將…

7

TOSHIBA(東芝)

TO-220SIS

東芝π-MOS VII MOSFET是10V柵極驅(qū)動，單N溝道器件，將π-MOS技術(shù)與平面工藝相結(jié)合，以提供多種電壓和RDS（ON）額定值。這些高壓MOSFET的漏極-源…

8

TOSHIBA(東芝)

SC-101(SOT-883)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35CT1.應(yīng)用○高速開關(guān)應(yīng)用○模擬開關(guān)應(yīng)用2.特性○1.2V驅(qū)動○低電阻：Ron=44Ω（最大）（@VGS=-1.2V）Ron=22Ω（最大）（@VGS…

9

TOSHIBA(東芝)

SOT-723

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35AMFV1.應(yīng)用程序模擬開關(guān)2.特點(1) 1.2 V驅(qū)動(2)低漏極電阻：RDS（ON）=3.2Ω（類型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（類型…

10

TOSHIBA(東芝)

SC-75(SOT-416)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J35AFS1.應(yīng)用程序模擬開關(guān)2。特點(1) 1.2 V驅(qū)動(2)低漏極電阻：RDS（ON）=3.2Ω（類型）（@VGS=-1.2V）RDS（ON）=2.3Ω（類型…

11

TOSHIBA(東芝)

TO-220SIS

Toshiba 650V DTMOS-VI超級結(jié)MOSFET設(shè)計用于在開關(guān)電源下工作。該系列N溝道MOSFET具有高速開關(guān)特性和較低電容。 650V DTMOS-VI超級結(jié)MOSFET硅MOS…

12

TOSHIBA(東芝)

TO-220

東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進(jìn)的單外延工藝，與上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，這是 MOSFET 的性能指標(biāo)。RDS（on） 的降低使得將…

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TOSHIBA(東芝)

DFN-4-EP(8x8)

Toshiba TK16x60W Si N溝道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片設(shè)計，有各種型號可供選擇。Si N溝道MOSFET具有低漏源導(dǎo)通電阻和快速反向恢復(fù)能力…

14

TOSHIBA(東芝)

DFN-4-EP(8x8)

東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進(jìn)的單外延工藝，與上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，這是 MOSFET 的性能指標(biāo)。RDS（on） 的降低使得將…

15

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J358R1. 應(yīng)用 ? 電源管理開關(guān)2.特性 （1) 1.8 V 驅(qū)動 （2）低漏源導(dǎo)通電阻 ：RDS（ON） = 49.3 mΩ（最大值） （@VGS = -1.8…

16

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J356R1. 應(yīng)用 ? 電源管理開關(guān) 2.特性 （1）4 V 柵極驅(qū)動電壓。 （2）低漏源導(dǎo)通電阻 ： RDS（ON） = 400 mΩ（最大值） （@V…

17

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J355R1. 應(yīng)用? 電源管理開關(guān)2.特性 （1）1.8 V 驅(qū)動 （2) 低漏源導(dǎo)通電阻 ： RDS（ON） = 36.0 mΩ（典型值） （VGS = -1.8 …

18

TOSHIBA(東芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J353F1. 應(yīng)用? 電源管理開關(guān)2.特性 （1） 4.0 V 柵極驅(qū)動電壓。（2）低漏源導(dǎo)通電阻 ：RDS（ON） = 274 mΩ（最大值） （@VG…

19

TOSHIBA(東芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J352F1. 應(yīng)用 ? 電源管理開關(guān)2.特性 （1)1.8 V 柵極驅(qū)動電壓（2）低漏源導(dǎo)通電阻 ：RDS（ON） = 443 mΩ （最大值） （@VGS …

20

TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J351R1. 應(yīng)用? 電源管理開關(guān) 2.特性 （1） 4 V 驅(qū)動 （2） 低漏源導(dǎo)通電阻 ：RDS（ON） = 107 mΩ（典型值） （VGS = -10 V）…