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AGM303D

AGM303D

作者:網(wǎng)站管理員    發(fā)布時(shí)間:2024-06-22    瀏覽次數(shù):


芯控源AGM303A詳情: 1個(gè)N溝道,漏源電壓(Vdss): 30V,連續(xù)漏極電流(Id): 110A,功率(Pd): 70W


●產(chǎn)品概述

     AGM303D將先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合,以提供極低的RDS(ON)。該器件非常適合負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

    ■先進(jìn)的高電芯密度溝槽技術(shù) ■LowRDS(ON)最小化導(dǎo)電損耗 ■低柵極電荷用于快速開關(guān) ■低熱阻 

●應(yīng)用

    ■MB/VGAV核 ■SMPS2ndSynchronousRectifier ■POL應(yīng)用 ■BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

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