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AGM303A

作者：網(wǎng)站管理員發(fā)布時間：2024-06-25 瀏覽次數(shù)：

芯控源AGM303A詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 110A，功率(Pd): 70W

●產(chǎn)品概述

AGM303A結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，具有低電阻封裝，可提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

■先進(jìn)的高電芯密度溝槽技術(shù) ■LowRDS（ON）最小化導(dǎo)電損耗 ■低柵極電荷用于快速開關(guān) ■低熱阻

●應(yīng)用

■MB/VGAV核 ■SMPS2ndSynchronousRectifier ■POL應(yīng)用 ■BLDC電機(jī)驅(qū)動器

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●產(chǎn)品概述

AGM303A結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，具有低電阻封裝，可提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

■先進(jìn)的高電芯密度溝槽技術(shù) ■LowRDS（ON）最小化導(dǎo)電損耗 ■低柵極電荷用于快速開關(guān) ■低熱阻

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芯控源AGM303A詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 110A，功率(Pd): 70W

●產(chǎn)品概述

AGM303A結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，具有低電阻封裝，可提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

■先進(jìn)的高電芯密度溝槽技術(shù) ■LowRDS（ON）最小化導(dǎo)電損耗 ■低柵極電荷用于快速開關(guān) ■低熱阻

●應(yīng)用

■MB/VGAV核 ■SMPS2ndSynchronousRectifier ■POL應(yīng)用 ■BLDC電機(jī)驅(qū)動器

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芯控源AGM303A詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 110A，功率(Pd): 70W

AGM303A結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，具有低電阻封裝，可提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。