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AGM206AP

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芯控源AGM206AP詳情: 1個(gè)N溝道，漏源電壓(Vdss): 20V，連續(xù)漏極電流(Id): 60A，功率(Pd): 72W

●產(chǎn)品概述

AGM206A結(jié)合先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

■先進(jìn)的高電芯密度溝槽技術(shù) ■LowRDS（ON）最小化導(dǎo)電損耗 ■低柵極電荷快速切換 ■低熱阻

●產(chǎn)品應(yīng)用

■MB/VGAV核 ■SMPS2nd同步整流器 ■POL應(yīng)用 ■BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

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●產(chǎn)品概述

AGM206A結(jié)合先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

■先進(jìn)的高電芯密度溝槽技術(shù) ■LowRDS（ON）最小化導(dǎo)電損耗 ■低柵極電荷快速切換 ■低熱阻

●產(chǎn)品應(yīng)用

■MB/VGAV核 ■SMPS2nd同步整流器 ■POL應(yīng)用 ■BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

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芯控源AGM206AP詳情: 1個(gè)N溝道，漏源電壓(Vdss): 20V，連續(xù)漏極電流(Id): 60A，功率(Pd): 72W

●產(chǎn)品概述

AGM206A結(jié)合先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

■先進(jìn)的高電芯密度溝槽技術(shù) ■LowRDS（ON）最小化導(dǎo)電損耗 ■低柵極電荷快速切換 ■低熱阻

●產(chǎn)品應(yīng)用

■MB/VGAV核 ■SMPS2nd同步整流器 ■POL應(yīng)用 ■BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

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芯控源AGM206AP詳情: 1個(gè)N溝道，漏源電壓(Vdss): 20V，連續(xù)漏極電流(Id): 60A，功率(Pd): 72W

AGM206A結(jié)合先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。