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LM2901DR2G

LM2901DR2G

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LM2901DR2G主要特點(diǎn)


  • 寬電源范圍
    • 單電源：2 V 至 36 V（非 V 器件經(jīng)測(cè)試為 30 V，V 后綴器件經(jīng)測(cè)試為 32 V）
    • 雙電源：±1 V 至 ±18 V（非 V 設(shè)備測(cè)試為 ±15 V，V 后綴設(shè)備測(cè)試為 ±16 V）
  • 低電源電流漏極，不受電源電壓影響：0.8 mA（典型值）
  • 低輸入偏置電流：25nA（典型值）
  • 低輸入失調(diào)電流：3nA（典型值） （LM139）
  • 低輸入失調(diào)電壓：2mV（典型值）
  • 共模輸入電壓范圍包括地電位
  • 差分輸入電壓范圍等于最大額定電源電壓：±36V
  • 低輸出飽和電壓
  • 輸出兼容TTL、MOS和CMOS
  • 在符合 MIL-PRF-38535 的產(chǎn)品上



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