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產(chǎn)品中心

首頁(yè) - 分立半導(dǎo)體 -

RUM002N02T2L

作者：網(wǎng)站管理員發(fā)布時(shí)間：2022-05-07 瀏覽次數(shù)：

產(chǎn)品屬性
類(lèi)型描述
類(lèi)別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝卷帶（TR）
剪切帶（CT）
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 200mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，2.5V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 1.2 歐姆 @ 200mA，2.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 1V @ 1mA
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 25 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150mW（Ta）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 VMT3
封裝/外殼 SOT-723
基本產(chǎn)品編號(hào) RUM002