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產(chǎn)品中心

首頁(yè) - 分立半導(dǎo)體 -

IRFZ44NPBF

作者：網(wǎng)站管理員發(fā)布時(shí)間：2022-05-07 瀏覽次數(shù)：

產(chǎn)品屬性
類型描述
類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包裝管件
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 55 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 49A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 17.5 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 63 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 1470 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 94W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
基本產(chǎn)品編號(hào) IRFZ44