TOSHIBA(東芝)-SSM3J168F

1.SSM3J168F 應(yīng)用

? 高速開關(guān)
? 模擬開關(guān)
? 接口

2.SSM3J168F特性

（1）符合 AEC-Q101 標準（請參閱可訂購的零件編號列表）
（2） 4.0 V 驅(qū)動器
（3）低漏源導(dǎo)通電阻：
RDS（ON） = 1.6 Ω（典型值）（VGS = -4.0 V）
RDS（ON） = 1.4 Ω（典型值）（VGS = -4.5 V）

RDS（ON） = 1.3 Ω （典型值）（VGS = -10 V）

3.SSM3J168F絕對最大額定值（注）（除非另有說明，否則 Ta = 25 ）

注：在重負載下連續(xù)使用（例如施加高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）可能會導(dǎo)致本產(chǎn)品的可靠性顯著下降，即使使用條件（即工作溫度/電流/電壓等）在絕對最大額定值范圍內(nèi)。請在查看東芝半導(dǎo)體可靠性手冊（“處理注意事項”/“降額概念和方法”）和各個可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測試報告和估計故障率等）后設(shè)計適當?shù)目煽啃浴Ｗ?1：確保通道溫度不超過 150 °C。注 2：安裝在 25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm FR4 玻璃環(huán)氧樹脂板上的器件（銅焊盤：645 mm2）注：該晶體管對靜電放電敏感，應(yīng)小心處理。注意：該器件中的 MOSFET 對靜電放電敏感。處理此設(shè)備時，應(yīng)保護工作臺、操作員、烙鐵和其他物體免受防靜電放電。注：通道到環(huán)境的熱阻 Rth（ch-a）和漏極功率耗散 PD 根據(jù)電路板材料、電路板面積、電路板厚度和焊盤面積而變化。使用此設(shè)備時，請務(wù)必充分考慮散熱。

4.SSM3J168F靜態(tài)特性（除非另有規(guī)定，Ta = 25 ）

注 1：如果在柵極和源之間施加反向偏置，則該器件進入 V（BR）DSX 模式。請注意，在此模式下，漏極擊穿電壓會降低。注 2：設(shè) Vth 為施加在柵極和源極之間的電壓，該電壓導(dǎo)致漏極電流（ID）低于（本器件為 -1 mA）。然后，對于正常的開關(guān)操作，VGS（ON）必須高于 Vth，VGS（OFF）必須低于 Vth。此關(guān)系可以表示為：VGS（OFF） < Vth < VGS（ON）。使用設(shè)備時請考慮這一點。注 3：脈沖測量