SSM3J140TU

1.SSM3J140TU應用

? 電源管理開關(guān)

2.SSM3J140TU特性

（1）符合 AEC-Q101 標準
（2）1.5 V 柵極驅(qū)動電壓。
（3）低漏源導通電阻
RDS（ON） = 63.2 mΩ（最大值）（@VGS = -1.5 V）
RDS（ON） = 41.1 mΩ（最大值）（@VGS = -1.8 V）
RDS（ON） = 31.0 mΩ（最大值）（@VGS = -2.5 V）
RDS（ON） = 25.8 mΩ（最大值）（@VGS = -4.5 V

3.SSM3J140TU絕對最大額定值（注）（除非另有說明，否則 Ta = 25 ）

注：在重負載下連續(xù)使用（例如施加高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）可能會導致本產(chǎn)品的可靠性顯著下降，即使使用條件（即工作溫度/電流/電壓等）在絕對最大額定值范圍內(nèi)。請在查看東芝半導體可靠性手冊（“處理注意事項”/“降額概念和方法”）和各個可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測試報告和估計故障率等）后設(shè)計適當?shù)目煽啃?。?1：確保通道溫度不超過 150 °C。注 2：脈沖寬度（PW） ≤ 10 ms，占空比 ≤ 1 % 注 3：安裝在 FR4 板上的器件。（25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm，銅墊：645 mm2）注意：該器件中的 MOSFET 對靜電放電敏感。處理此設(shè)備時，應保護工作臺、操作員、烙鐵和其他物體免受防靜電放電。注：通道到環(huán)境的熱阻 Rth（ch-a）和漏極功率耗散 PD 根據(jù)電路板材料、電路板面積、電路板厚度和焊盤面積而變化。使用此設(shè)備時，請務必充分考慮散熱。

4.SSM3J140TU靜態(tài)特性（Ta = 25，除非另有說明）

注 1：如果在柵極和源之間施加反向偏置，則該器件進入 V（BR）DSX 模式。請注意，在此模式下，漏極擊穿電壓會降低。注 2：設(shè) Vth 為施加在柵極和源極之間的電壓，該電壓導致漏極電流（ID）低于（本器件為 -1 mA）。然后，對于正常的開關(guān)操作，VGS（ON）必須高于 Vth，VGS（OFF）必須低于 Vth。此關(guān)系可以表示為：VGS（OFF） < Vth < VGS（ON）。使用設(shè)備時請考慮這一點。注 3：脈沖測量