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AGM308AP

作者：網(wǎng)站管理員發(fā)布時間：2024-06-29 瀏覽次數(shù)：

芯控源AGM308AP詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 40A，功率(Pd): 24W

●產(chǎn)品概述

AGM308AP將先進的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關(guān)和電池保護應用。

●產(chǎn)品特點

■先進的高電池密度溝槽技術(shù) ■ 低導通電阻（ON），可最大限度地降低導電損耗 ■ 低柵極電荷，可實現(xiàn)快速開關(guān) ■ 低熱阻

●應用

■ MB/VGA核心 ■ SMPS第二同步整流器 ■ POL應用 ■ BLDC電機干

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●產(chǎn)品概述

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●產(chǎn)品特點

■先進的高電池密度溝槽技術(shù) ■ 低導通電阻（ON），可最大限度地降低導電損耗 ■ 低柵極電荷，可實現(xiàn)快速開關(guān) ■ 低熱阻

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●產(chǎn)品概述

AGM308AP將先進的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關(guān)和電池保護應用。

●產(chǎn)品特點

■先進的高電池密度溝槽技術(shù) ■ 低導通電阻（ON），可最大限度地降低導電損耗 ■ 低柵極電荷，可實現(xiàn)快速開關(guān) ■ 低熱阻

●應用

■ MB/VGA核心 ■ SMPS第二同步整流器 ■ POL應用 ■ BLDC電機干

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AGM308AP將先進的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關(guān)和電池保護應用。

■先進的高電池密度溝槽技術(shù) ■ 低導通電阻（ON），可最大限度地降低導電損耗 ■ 低柵極電荷，可實現(xiàn)快速開關(guān) ■ 低熱阻