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AGM306A

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芯控源AGM306A詳情: 1個(gè)N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 60A，功率(Pd): 51W

●產(chǎn)品概述

AGM306A將先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

■ 先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù) ■ 低導(dǎo)通電阻（ON），可最大限度地降低導(dǎo)電損耗 ■ 低柵極電荷，可實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān) ■ 低熱阻 ■ 100% 雪崩測(cè)試

●應(yīng)用

■MB/VGAV核 ■SMPS 第二同步整流器 ■POL應(yīng)用 ■BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

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芯控源AGM306A詳情: 1個(gè)N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 60A，功率(Pd): 51W

●產(chǎn)品概述

AGM306A將先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

■ 先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù) ■ 低導(dǎo)通電阻（ON），可最大限度地降低導(dǎo)電損耗 ■ 低柵極電荷，可實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān) ■ 低熱阻 ■ 100% 雪崩測(cè)試

●應(yīng)用

■MB/VGAV核 ■SMPS 第二同步整流器 ■POL應(yīng)用 ■BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

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芯控源AGM306A詳情: 1個(gè)N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 60A，功率(Pd): 51W

●產(chǎn)品概述

AGM306A將先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

■ 先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù) ■ 低導(dǎo)通電阻（ON），可最大限度地降低導(dǎo)電損耗 ■ 低柵極電荷，可實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān) ■ 低熱阻 ■ 100% 雪崩測(cè)試

●應(yīng)用

■MB/VGAV核 ■SMPS 第二同步整流器 ■POL應(yīng)用 ■BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

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芯控源AGM306A詳情: 1個(gè)N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 60A，功率(Pd): 51W

AGM306A將先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用。

■ 先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù) ■ 低導(dǎo)通電阻（ON），可最大限度地降低導(dǎo)電損耗 ■ 低柵極電荷，可實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān) ■ 低熱阻 ■ 100% 雪崩測(cè)試