国产欧美精品一区二区三区,亚洲欧美综合国产不卡

產(chǎn)品中心

首頁(yè) - AGMSEMI -

AGM302D1

作者：網(wǎng)站管理員發(fā)布時(shí)間：2024-06-25 瀏覽次數(shù)：

芯控源AGM302D1詳情: 1個(gè)N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 115A，功率(Pd): 80W

●產(chǎn)品概述

AGM302D1結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

■先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù) ■LowRDS（ON）最小化導(dǎo)電損耗 ■LowGateCharge快速切換 ■低熱阻 ■100%雪崩測(cè)試 ■100%DVD測(cè)試

●應(yīng)用

■MB/VGAV核 ■SMPS2nd同步整流器 ■POL應(yīng)用 ■BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)

附件下載

AGM302D1_規(guī)格書(shū).PDF

下載次數(shù)：次數(shù)

下載

上一篇：AGM302A1

下一篇：AGM303AP

熱門產(chǎn)品

關(guān)于我們: - 公司介紹; - 聯(lián)系我們

產(chǎn)品中心: - MELEXIS; - TOSHIBA; - TRINAMIC; - ST; - Onsemi; - AGMSEMI; - TI; - MPS; - ADI; - INFINEON

客戶案例: - 公司案例; - 產(chǎn)品案例

新聞資訊: - 公司新聞; - 產(chǎn)品新聞; - 熱點(diǎn)新聞

合作伙伴: - 授權(quán)代理; - 現(xiàn)貨分銷

聯(lián)系我們:0755-82760106

投訴建議:0755-83260671

郵箱：jessie@ruizhengwei.com

總部地址：廣東省深圳市龍崗區(qū)橫崗街道榮德國(guó)際A座18F

微信公眾號(hào)二維碼

欧美一区二区三区久久综合,红杏国产成人精品视频,狠狠色噜噜狠狠狠888米奇,亚洲AV无码一区二区三区人妖

歡迎來(lái)到深圳市瑞政微電子有限公司

首頁(yè)

新聞資訊

產(chǎn)品中心

案例中心

合作品牌

公司介紹

聯(lián)系我們

產(chǎn)品中心

AGM302D1

芯控源AGM302D1詳情: 1個(gè)N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 115A，功率(Pd): 80W

●產(chǎn)品概述

AGM302D1結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

■先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù) ■LowRDS（ON）最小化導(dǎo)電損耗 ■LowGateCharge快速切換 ■低熱阻 ■100%雪崩測(cè)試 ■100%DVD測(cè)試

●應(yīng)用

■MB/VGAV核 ■SMPS2nd同步整流器 ■POL應(yīng)用 ■BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)

附件下載

熱門產(chǎn)品

歡迎來(lái)到深圳市瑞政微電子有限公司

產(chǎn)品中心

AGM302D1

芯控源AGM302D1詳情: 1個(gè)N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 115A，功率(Pd): 80W

●產(chǎn)品概述

AGM302D1結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

■先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù) ■LowRDS（ON）最小化導(dǎo)電損耗 ■LowGateCharge快速切換 ■低熱阻 ■100%雪崩測(cè)試 ■100%DVD測(cè)試

●應(yīng)用

■MB/VGAV核 ■SMPS2nd同步整流器 ■POL應(yīng)用 ■BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)

附件下載

熱門產(chǎn)品

芯控源AGM302D1詳情: 1個(gè)N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 115A，功率(Pd): 80W

AGM302D1結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設(shè)備是負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。