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首頁(yè) - 場(chǎng)效應(yīng)管 -

FQD13N06LTM

作者：網(wǎng)站管理員發(fā)布時(shí)間：2022-05-06 瀏覽次數(shù)：

產(chǎn)品屬性
類(lèi)型描述
類(lèi)別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
制造商 onsemi
系列 QFET®
包裝卷帶（TR）
剪切帶（CT）
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 11A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值） 115 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值） 6.4 nC @ 5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值） 350 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），28W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝 TO-252AA
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
基本產(chǎn)品編號(hào) FQD13N06